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Deposición en vacío

M Series - Deposition system

Serie M- Sistema de deposición

Sistemas de deposición - Serie M
A highly modular platform that can be configured to operate as a high vacuum or UHV deposition system. The all metal seal design delivers the pristine environment for the highest performance purity deposition. Multiple platforms are available from small scale R&D with 1" samples to 6" diameter automated processing.
Visit the Mantis Deposition site for more detailed information.
Una plataforma altamente modular que puede ser configurado para una operación a alto-vacío o sistema de deposición UHV. El diseño de sellos metálicos únicamente aporta un ambiente impecable para el rendimiento más alto de deposición de pureza. Múltiples plataformas están disponibles, desde R&D de pequeña escala con diámetros de 1” a 6”.
Visita el sitio web de Mantis Deposition para obtener información más detallada.
IntroductionIntroducción
IntroductionIntroducción
A highly modular platform that can be configured to operate as a high vacuum or UHV deposition system. The all metal seal design delivers the pristine environment for the highest performance purity deposition. Multiple platforms are available from small scale R&D with 1" samples to 6" diameter automated processing.
Una plataforma altamente modular que puede ser configurado para una operación a alto-vacío o sistema de deposición UHV. El diseño de sellos metálicos únicamente aporta un ambiente impecable para el rendimiento más alto de deposición de pureza. Múltiples plataformas están disponibles, desde I + D de pequeña escala con diámetros de 1” a 6”.
Applications
- Semiconductor films
- Oxides/nitrides
- Nanostructured films
- Multilayers
- Compound semiconductors
- Glancing angle deposition
- Ultra-thin films
Aplicaciones
- Películas semiconductoras
- Óxidos / nítridos
- Películas nanoestructurales
- Multicapas
- Compuestos semiconductores
- Deposición de ángulo estrecho
- Películas ultra-finas.
Sistemas de deposición - Serie M
Vacuum chamber
Cámara de vacío
Vacuum chamber
Cámara de vacío
The M series system is based on a UHV, ConFlat flange platform with a large metal-sealed top flange. This allows true UHV to be achieved while granting excellent chamber access through the large top-flange. All joints are internally welded and polished on request to reduce to an absolute minimum any outgassing.
Ports: Base ports are confocal as standard allowing a wider variety of deposition sources to be employed than with non-confocal arrangements. Two side-mounting ports for high-power e-beam sources can be specified while still leaving up to seven confocal deposition ports in the base. Numerous ports are provided for gauges and analysis tools.
Cryopanel: The system can be equipped with cryogenically-cooled panels to aid pumping and avoid thermal cross-talk between sources.
Bakeout: Internal bakeout heaters or full external bakeout tents can be incorporated, which allow the base pressure to attain a value of less than 1.0x10-10 mbar with appropriate pumping.
Pumping: The chamber can be equipped with pumps ranging from 300 to 2000 ls-1 turbo pumps, cryo and ion pumps, but alternative pump types can be specified.
Shielding: The system can be optionally equipped with removable cross-contamination shielding in applications where high rates of deposition are required.
El sistema de serie M, se basa en una plataforma de bridas UHV con una gran brida superior sellado metálicamente. Esto permite que se consiga UHV verdadera, mientrasa que genera gran acceso a la cámara mediante la brida superior. Las uniones están soldadas interiormente y pulidas para reducir la desgasificación al mínimo.
Puertos: Puertos basales son estandarmente confocales lo cual permite el empleo de una mayor variedad de fuentes de deposición que con estructuras no-confocales. Puertos con dos lados para montaje para fuentes de alta-potencia e-beam pueden ser especificados dejando hasta siete puertos de deposición confocales en la base. Numerosos puertos son aportados para mediadores de gases y herramientas de análisis.
Criopanel: El sistema puede equiparse con paneles criogénicamente enfriados para ayudar el bombeo y evitar diafonía termal entre fuentes.
Bakeout: Calentadores internos bakeout o CARPAS externas bakeout se pueden incorporar, lo cual permite que la presión basal llegue a, mediante el bombeo correspondiente menos de 1.0x10-10 mbar.
Bombeo: La cámara se puede equipar con bombas que varían de 300 a 2000 ls-1 bombas turbo, bombas crio e iónicos pero también hay bombas alternativas.
Blindaje: El sistema puede equiparse además con blindaje retirable de contaminación cruzada en aplicaciones done hay altas tasas de deposición requeridas.
Sample handling
Manipulación
Sample handling
Manipulación de las muestras
Sample loading
The base system is equipped with side-entry door appropriately sized for the sample platform chosen (1" to 6" as standard, 8" on request).
Optionally a load-lock can be mounted for clean sample transfer while leaving the main chamber under vacuum. Sample transfer is actuated via a magnetically-coupled transfer arm. Sample hand-off is enabled via z-shift lift-off of the sample table. Sample transfer can optionally be automated from a sample storage cassette.
Sample table
The sample table/manipulator can be configured as standard from 2" (51 mm) to 6" (152 mm) (or multiple smaller) samples but can be modified for a number of custom configurations.
Options
- Variable speed (2 - 20 rpm) sample rotation
- DC or RF sample table bias
- Sample heating up to 800° C
- Sample cooling
- Z-shift (0 - 100 mm)
- All hot-zone components in a heated sample holder are manufactured of refractory materials in order to maintain system purity.
Carga de muestras
El sistema basal está equipado con una puerta lateral. de tamaño apropiado para la plataforma muestral elegida (1” a 6” es estándar, 8” si se especifica).
Opcionalmente, un load-lock puede montarse para transferencia limpia de muestra mientras que se deja la cámara principal en vacío. Transferencia de muestras se llevan a cabo por brazos de transferencia magnéticamente acoplados. Descarga de muestra se facilita con un lift-off z-shift del manipulador de muestras. La transferencia muestral puede ser automatizado por un cartucho de almacenamiento muestral.
Manipulador de muestras
El manipulador de muestras se puede configurar en forma estándar desde muestras de 2” (51mm) a 6” (152 mm) pero puede modificarse por numerosas configuraciones distintas.
Opciones
- Velocidad variable de rotación de la muestra (2 - 20 rpm)
- Preferencia de manipulador de muestras DC o RF
- Calentamiento de muestra hasta 800º C
- Enfriamiento de muestra
- Z-shift (0 - 100 mm)
- Todos los componentes de la zona caliente del manipulador de muestras están constituidos por materiales refractorios para mantener la pureza del sistema.
Sources
Fuentes
Sources
Fuentes
Sputter source (magnetron)
Sputtering Sources
The base ports can accommodate up to six sputtering sources. We can supply 1 - 4" magnetron sputtering sources for DC or RF operation. Alternatively we are happy to incorporate existing or third party magnetrons into the system.

E-beam evpaorator
E-beam Sources
We offer two types of e-beam evaporation sources:
  • Low dose, high accuracy - These are intended for highly-controlled, ultra-thin film deposition of refractory materials into the system. See more details here.
  • Multi kW sources - These offer high deposition rate and high capacity. Up to two larger sources (single or multi-pocket) may be installed.

Nanoparticle source
Nanoparticle Sources
The NanoGen50 nanoparticle source can be installed on the chamber to allow controlled nanoparticle deposition onto the sample. Nanoparticles can be generated from any metal as well as from many compound materials (oxides, nitrides, carbides...) and alloys. The size of the particles is highly controlled - mean between ~0.5 nm and 20 nm with a narrow size distribution of ±15%.

Plasma source
Atomic Sources
For the growth of oxides or nitrides at low pressure, it is often necessary to use a more reactive form of oxygen (and certainly nitrogen) to form oxide or nitride compounds. Mantis Deposition manufactures RF plasma sources which are used to generate beams of higly reactive atomic oxygen or nitrogen. These can be incorporated to act alongside conventional metal deposition sources to grow high-quality compound layers.

Knudsen (effusion) cells
Thermal Sources
Thermal sources such as K-cells can be added. K-cells will fit through standard ports and optional, water-cooled cross-contamination shields can be added around them to improve overall system purity.
Fuentes de pulverización catódica
Fuentes de pulverización catódica
Los puertos de la base de la cámara pueden acomodar hasta seis fuentes de pulverización catódica. Podemos suministrar 1 - 4” fuentes de magnetrón de pulverización catódica para operaciones CC/RF. A la vez, ofrecemos la incorporación de magnetrones existentes al sistema.

Evaporadores haz de electrones
Fuentes de haz de electrones
Ofrecemos dos tipos de fuentes de evaporación de haz de electrones:
  • Bajo dosis, alta precisión: Se usan para deposición de materiales refractorias por películas ultra- finas y altamente controlada al sistema.
  • Fuentes Multi kW: Ofrecen una alta tasa de deposición y alta capacidad. Hasta dos fuentes más grandes (compartimento simple o múltiple) pueden instalarse.

Fuentes para la generación de nanopartículas
Fuentes de nanopartículas
La fuente de nanopartículas NanoGen50 puede instalarse en la cámara para permitir deposición controlada de nanopartículas en la muestra. Nanopartículas pueden generarse de cualquier metal, además de muchos compuestos (óxidos, nítruros, carburos) y aleaciones. El tamaño de las partículas está altamente controlada con una media entre 0,5 nm y 20 nm con una distribución estrecha de 15%.

Fuentes de plasma
Fuentes atómicas
Para el crecimiento de óxidos o nitruros a baja presión es frecuentemente necesario usar una forma más reactiva del Oxígeno (y definitivamente del Nitrógeno) para formar compuestos de oxígeno y nítricos. Mantis Deposition genera fuentes de plasma RF que se usan para generar haces de oxígeno o nitrógeno altamente reactivos. Se pueden incorporar para actuar junto a fuentes de deposición metálica convencionales para que crezcan capas compuestas de alta calidad.

Células de efusión de Knudsen
Fuentes térmicas
Fuentes térmicas como células Knudsen (K-cells) pueden incorporarse. Las K-cells caben en puertos estándar y se pueden añadir escudos de contaminación cruzada a su alrededor para aumentar la pureza del sistema.
Gauges
Mediadores
Gauges
Mediadores
The system is configured as standard with full-range gauges to allow seamless pumpdown monitoring. Ports can be included for RHEED, ellipsometry, residual gas analysers or thin film monitors. Optionally, additional analysis equipment can be included at the user's request.
Automation
The system can be automated using touchscreen-based pumpdown or using process automation feature in in-house developed software.
El sistema está configurado como estándar con mediadores de gases de gran rango que permitirán una monitorización pump-down sin interrupciones. Puertos pueden incluirse para RHHED, elipsometría, análisis de gases residuales o monitores de películas finas. Opcionalmente, herramientas adicionales de análisis pueden incorporarse tras la petición del cliente.
Automatización
El sistema puede automatizarse usando pump-down táctil o mediante software de automatización de proceso.
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KFKF
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Angle valvesVálvulas de ángulo
Transfer valvesVálvulas de transferencia
Gate valvesVálvulas de guillotina
ValvesVálvulas
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Special materialsMateriales especiales
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